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【导语】据台积电官方消息，其2nm（N2）技术按计划将于2025年四季度量产，采用第一代纳米片晶体管技术，较N3E工艺在性能与功耗上全节点显著提升，还新增SHPMIM电容器，智能设备或迎性能革命。

据台积电官方介绍，台积电2nm（N2）技术已按计划于2025年第四季度投入量产，其N2技术采用了第一代纳米片晶体管（nanosheettransistor）技术。

与已经非常优秀的N3E工艺相比，N2技术在性能与功耗方(fāng)面(miàn)实(shí)现(xiàn)了(le)全节(jié)点(diǎn)的(de)显(xiǎn)著(zhe)提(tí)升(shēng)。

在(zài)同(tóng)样(yàng)功(gōng)耗(hào)下(xià)，性(xìng)能(néng)（速(sù)度(dù)）提(tí)升(shēng)10%–15%。

在(zài)同(tóng)样(yàng)速(sù)度(dù)下(xià)，功(gōng)耗(hào)降(jiàng)低(dī)25%–30%。

此(cǐ)外(wài)，N2还(hái)在(zài)供(gōng)电(diàn)网(wǎng)络(luò)中(zhōng)增(zēng)加(jiā)了(le)超(chāo)高(gāo)性(xìng)能(néng)金(jīn)属(shǔ)-绝(jué)缘(yuán)体(tǐ)-金(jīn)属(shǔ)(Super-High-Performance Metal-Insulator-Metal,SHPMIM)电(diàn)容(róng)器(qì)。

这(zhè)意(yì)味(wèi)着(zhe)我(wǒ)们(men)手(shǒu)中(zhōng)的(de)智(zhì)能(néng)手(shǒu)机(jī)、驱(qū)动(dòng)AI世(shì)界(jiè)的(de)庞(páng)大(dà)算(suàn)力(lì)、以(yǐ)及(jí)未(wèi)来(lái)一(yī)切(qiè)智(zhì)能(néng)设(shè)备(bèi)，都(dōu)即(jí)将(jiāng)迎(yíng)来(lái)一(yī)场(chǎng)性(xìng)能(néng)革(gé)命(mìng)。